vasp计算半导体光学性质 |
| 时间：2025-04-13 13:52:50 来源：互联网 作者： |
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知乎注：VASP 计算介电函数时只考虑了带间直接跃迁，因此该方法仅适用于半导体或绝缘体体系，不适用金属体系。注：Si 和石墨烯的计算参考的 B 站的视频“vaspkit计算材料光学性质gw+bse【凝聚态计算入门】”。 展开理论https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033理论为上述文章的光学部分。计算光谱，最主要的是计算出材料的介电函数，只要算出了材料的介电函数 $$\var\varepsilon(\omega)=\varepsilon_{1}(\om$$\varepsilon_{1}(\omega)$ 展开硅（Si）第一步需要准备的文件：
•INCAR
•POSCAR
•KPOINTS
•POTCAR第二步需要准备的文件：
•INCAR
• 展开石墨烯（graphene）INCARNBANDS = 216
基态是占据态；激发态是空态；光谱要考虑跃迁。从基态到激发 计算结构分析提交完作业后运行 vaspkit ：
vaspkit $$\Rightarrow$$ 71 $$\Rig 展开更多内容请查看https://zhuanlan.zhihu.com/p/669635613
VASP介电函数和光学性质计算步骤 其中第一个来自vasp官网手册 SiC的频率依赖介电函数的计算 上 The independent-particle picture 小节，是基于独立粒子假设的；第二个考虑了局域场效应，来自 Including local field effects 小节。 必须要在第一个计算的基 更多内容请查看https://zhuanlan.zhihu.com/p/560168107
VASP vaspkit 光学性质|1 我将所有步骤的输入文件调成与文章“ vasp 计算光学性质”的一致（除了 OPTCELL 文件），我得到的输出结构如下： 注：vaspkit 使用的是 711 而不是 710 （为了与原 更多内容请查看https://zhuanlan.zhihu.com/p/625881446
小木虫vasp5.2计算半导体Si光学性质的总结 由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确，所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质 就顺水提出的问题，做下面说明，标志红色 1.建模结构优化这里就不说了更多内容请查看https://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3753879
VASPKIT采用杂化泛函计算体材料的线性光学性质 首先调用VASP计算得到介电函数实部和虚部，然后调用VASPKIT读取介电函数进一步得到线性光学性质。 注意VASP计算介电函数时只考虑了带间直接跃迁，因此该方法仅 更多内容请查看http://vaspkit.cn/index.php/190.html
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